【企業】フリースケールが富士電機とICBTで協業

Freescale Semiconductorは、2011年4月11日(米国時間)ハイブリッド自動車(HEV)や電気自動車(EV)向けの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT:Insulated Gate Bipolar Transistor)技術と製品開発において、富士電機と協業することで同意したと発表した。富士電機の100%子会社である富士電機システムとともに、Freescale Semiconductorは製品ポートフォリオに富士電機の高性能IGBTを追加し、顧客の需要に基づいた製品開発・販売を行う。

フリースケールが富士電機と協業、電気自動車向けに富士電機のIGBTを採用(EE TIMES)

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