Freescale Semiconductorは、2011年4月11日（米国時間）ハイブリッド自動車（HEV）や電気自動車（EV）向けの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor）技術と製品開発において、富士電機と協業することで同意したと発表した。富士電機の100％子会社である富士電機システムとともに、Freescale Semiconductorは製品ポートフォリオに富士電機の高性能IGBTを追加し、顧客の需要に基づいた製品開発・販売を行う。