【新技術】MITなど、1200V耐圧のGaNパワーデバイスを開発、電気自動車で使用可能

マサチューセッツ工科大学(MIT)などの研究チームは、1200Vの高電圧で動作する窒化ガリウム(GaN)半導体パワーデバイスを開発したと発表した。電気自動車や電力網へのGaNパワーデバイスの応用につながると期待される。技術の詳細は「International Electron Device Meetintg(IEDM 2017)」(12月2日～6日、米カリフォルニア州サンフランシスコ)で報告された。