半導体メーカーのロームは、電気自動車(EV)やハイブリッドカー(HEV)用のインバータに搭載されているIGBTやパワーMOSFETの駆動に最適な絶縁素子内蔵ゲートドライバ「BM6103FV-C」を開発した。同製品はローム独自のBiCDMOS技術と新規開発のオンチップトランスフォーマプロセス技術の融合により、絶縁素子を内蔵したゲートドライバとしては業界最小の小型パッケージとなり、インバータ回路の小型化に貢献する。また、従来のフォトカプラ方式に比べて消費電力を大幅に削減でき、EVやHEVに必要なすべての保護機能や品質要求を備えているためインバータ・システムの設計負荷も軽減する。さらに次世代パワー半導体として期待されるSiC(シリコンカーバイド:炭化ケイ素)を使用したパワーMOSFETの高速スイッチングにも対応しており、より高効率で低消費な次世代電気自動車の実現にも大きく貢献する。
【新技術】ローム、EV向け絶縁素子内蔵小型ゲートドライバを開発
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